H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/46 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) C23F 1/00 (2006.01)
Patent
CA 2433738
The invention provides a general fabrication method for producing MicroElectroMechanical Systems (MEMS) and related devices using Silicon-On- Insulator (SOI). One first obtains an SOI wafer that has (i) a handle layer, (ii) a dielectric layer, and (iii) a device layer. A mesa etch has been made on the device layer of the SOI wafer and a structural etch has been made on the dielectric layer of the SOI wafer. One then obtains a substrate (such as glass or silicon), where a pattern has been etched onto the substrate. The SOI wafer and the substrate are bonded together. Then the handle layer of the SOI wafer is removed, followed by the dielectric layer of the SOI wafer.
L'invention concerne un procédé général de fabrication destiné à la production de systèmes micro-électromécaniques (MEMS) et de dispositifs connexes au moyen de silicium sur isolant (SOI). On obtient en premier lieu une plaquette de SOI comportant (i) une couche de manipulation, (ii) une couche diélectrique, et (iii) une couche de dispositif. Un mésa réalisé par gravure est produit sur la couche de dispositif de la plaquette de SOI et une gravure de structure sur la couche diélectrique de ladite plaquette. On obtient ensuite un substrat (par exemple en verre ou en silicium), sur lequel on a gravé un motif. La plaquette de SOI et le substrat sont collés l'un à l'autre. On enlève alors de la plaquette de SOI la couche de manipulation, suivie de la couche diélectrique de ladite plaquette.
Riches Mckenzie & Herbert Llp
The Charles Stark Draper Laboratory Inc.
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1423309