H - Electricity – 05 – K
Patent
H - Electricity
05
K
H05K 1/16 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01) H01G 4/12 (2006.01) H01G 4/33 (2006.01) H01G 13/00 (2006.01) H05K 3/46 (2006.01)
Patent
CA 2604614
This invention provides a method for oxide dielectric layer formation by a sol- gel process. The oxide dielectric layer is less likely to undergo damage by an etching liquid and has excellent dielectric properties such as high electric capacity. The method for oxide dielectric layer formation is characterized by comprising the following steps (a) to (c). Step (a): A solution for the preparation of a sol-gel solution for the formation of a desired oxide dielectric layer is prepared. Step (b): A series of procedures consisting of coating the sol-gel solution onto the surface of a metal base material, drying the coated metal base material in an oxygen-containing atmosphere, and conducting thermal decomposition in an oxygen-containing atmosphere are regarded as one unit process and is repeated a plurality of times, and preliminary firing treatment such as inert gas replacement at 550~C to 1000~C is optionally carried out between the one unit process and the one unit process, whereby the film thickness is regulated. Step (c): Finally, a firing treatment such as inert gas replacement is carried out at 550~C to 1000~C to convert the film to a dielectric layer.
L~invention concerne un procédé de formation d'une couche d'oxyde diélectrique par un procédé sol-gel. La couche d'oxyde diélectrique est moins susceptible de subir des dommages induits par un liquide décapant et présente d'excellentes propriétés diélectriques telles qu'une grande capacité électrique. Le procédé de formation d~une couche d'oxyde diélectrique est caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes (a) à (c) suivantes. Etape (a) : préparation d'une solution pour la préparation d'une solution sol-gel pour former une couche d'oxyde diélectrique souhaitée. Etape (b) : une série de procédures, consistant en une application de la solution sol-gel comme revêtement sur la surface d'un matériau à base de métal, un séchage du matériau à base de métal enduit dans une atmosphère contenant de l'oxygène, et une décomposition thermique dans une atmosphère contenant de l'oxygène sont considérées comme un procédé unitaire répété plusieurs fois, un traitement de cuisson préliminaire tel que la substitution du gaz inerte entre 550 °C et 1 000 °C étant éventuellement effectué entre deux procédés unitaires, permettant ainsi de contrôler l'épaisseur du film. Etape (c) : enfin, un traitement de cuisson préliminaire tel que la substitution du gaz inerte entre 550 °C et 1 000 °C est effectué pour transformer le film en une couche diélectrique.
Abe Naohiko
Kanno Akihiro
Nakashima Hirotake
Sugioka Akiko
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Mitsui Mining & Smelting Co. Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1981735