C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 25/02 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01) C30B 29/42 (2006.01) H01L 21/18 (2006.01) H01L 21/22 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01) H01L 21/318 (2006.01)
Patent
CA 2118356
A technique is described for the preparation of a thin film of a silicon nitride diffusion barrier to gallium on a silicon integrated circuit chip. The technique involves reacting nitrogen and silane in a ratio of 53:1 to 300:1 in a plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus. The described technique is of interest for use in the monolithic integration of interconnected GaAs/AlGaAs double heterostructures, modulators and silicon MOSFET structures.
L'invention est une méthode de fabrication de couches minces servant de barrières de diffusion de nitrure de silicium à une couche de gallium déposée sur une puce de circuit intégré de silicium. Cette méthode utilise une réaction de l'azote et d'un silane dans un rapport allant de 53:1 à 300:1 produite dans un appareil de dépôt en phase vapeur à stimulation par un plasma. La méthode de l'invention est utile dans l'intégration monolithique des hétérostructures doubles GaAs/AlGaAs interconnectées, les modulateurs et les structures MOSFET utilisant le silicium.
Cunningham John E.
Goossen Keith W.
Jan William Y.
Walker James A.
American Telephone And Telegraph Company
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1793606