Method for preparing a target element for cathode sputtering

Details Method for preparing a target element for cathode sputtering Method for preparing a target element for cathode sputtering

C - Chemistry, Metallurgy

23

C

C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01)

Patent

CA 2125670

2125670 9312264 PCTABS00162 Pour former l'élément de cible, on constitue un système précurseur susceptible de donner naissance au matériau inorganique à une température .THETA. comprise entre 300 ·C et 1600 ·C et inférieure au point de fusion dudit matériau, ledit système précurseur renfermant un adjuvant inorganique de point de fusion inférieur ou égal à .THETA., on applique le système précurseur sur un support, à l'exclusion d'une mousse ou feutre métallique, on porte l'ensemble résultant à la température .THETA. et maintient ladite température pendant une durée suffisante pour produire le matériau inorganique, puis on refroidit l'ensemble matériau inorganique/support jusqu'à la température ambiante en évitant toute trempe. Pour produire la cible, l'élément de cible (2) est collé sur un substrat (4) métallique à l'aide d'une couche (3) d'un adhésif conducteur.

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