H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/183 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2503782
The invention relates to a method for producing a buried tunnel junction (1) in a surface-emitting semiconductor laser and to a laser of this type. Said laser comprises an active zone (5) containing a pn-junction, surrounded by a first n-doped semiconductor layer (6) and at least one p-doped semiconductor layer (3, 4), in addition to a tunnel junction (1) on the p-side of the active zone (5), said tunnel junction bordering on a second n-doped semiconductor layer (2). To bury the tunnel junction (1), the layer provided for the tunnel junction (1) is removed laterally in a first step using material-selective etching until the desired diameter is achieved and is heated in a second step in a suitable atmosphere until the etched region (1a) is sealed by a mass transport from at least one of the semiconductor layers (2, 3) bordering on the tunnel junction (1). This enables surface-emitting laser diodes to be produced in high yields by simple technology, allowing the stabilisation of the lateral single-mode operation and the high-performance of the latter.
L'invention concerne un procédé pour réaliser un contact à effet tunnel (1) enfoui dans un laser semi-conducteur émettant par la surface, ainsi qu'un laser de ce type. Ce laser comporte une zone active (5) dotée d'une jonction pn entourée d'une première couche semi-conductrice (6) dotée n et d'au moins une couche semi-conductrice (3, 4) dotée p, ainsi qu'un contact à effet tunnel (1) sur la face p de la zone active (5), lequel contact est limitrophe d'une deuxième couche semi-conductrice (2) dotée n. Pour enfouir le contact à effet tunnel (1) selon l'invention, la couche prévue pour le contact à effet tunnel (1) est, dans une première étape, enlevée latéralement par gravure à sélection de matière jusqu'à l'obtention du diamètre voulu et, dans une deuxième étape, elle est chauffée dans une atmosphère adéquate jusqu'à ce que la zone gravée (1a) soit fermée par transport de masse à partir d'au moins une des couches semi-conductrices (3, 4) contiguë au contact à effet tunnel (1). Des diodes laser émettant par la surface peuvent ainsi être produites au moyen d'une technologie simple et à haut rendement, le fonctionnement latéral monomode étant stabilisé et possible à haute puissance.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Vertilas Gmbh
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1726052