G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 6/34 (2006.01) G01N 21/55 (2006.01) G02B 6/124 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01)
Patent
CA 2399651
The aim of the invention is to produce a coupling grid that is designed as a line grid having a grid period between 100 nm and 2,500 nm. A substrate (1) is covered with a photosensitive resist layer (10) and is exposed by means of a mercury discharge lamp (11) via a deviation mirror (13, 13') and through a phase mask (14) and approximately under the Littrow angle (.THETA.L) or 0~. Said layer is arranged in the near field of the phase mask. Said substrate is then structured by means of reactive ion etching and is provided with a transparent layer by means of reactive DC magnetron sputtering, especially pulsed DC sputtering or AC superimposed DC sputtering. The phase mask (14) has previously been structured according to the laser two beam interference method. The inventive method is suitable for producing optical elements, especially evanescence field sensor plates and optical couplers for communication engineering, as very precise grids even having great dimensions can be produced. Said optical elements can be especially used as filters for wavelength multiplexing in optical fibre networks.
Selon l'invention, pour réaliser un réseau de couplage se présentant sous la forme d'un réseau de lignes dont la période de réseau est comprise en 100 mm et 2500 mm, on recouvre un substrat (1) avec une couche de photorésist (10) et on expose ledit substrat à une lumière au moyen d'une lampe à arc à mercure (11), par l'intermédiaire d'un miroir de déviation (13, 13'), la lumière passant à travers un masque de phase (14) dans le champ proche duquel se trouve ladite couche, cela sous l'angle de Littrow (.THETA.¿L?) ou à un angle de 0·. Cette couche est ensuite structurée par attaque ionique réactive et pourvue d'une couche transparente par pulvérisation au magnétron à courant continu réactive, en particulier par pulvérisation à courant continu pulsée ou par pulvérisation à courant continu avec superposition d'un courant alternatif. Le masque de phase (14) est préalablement structuré selon le procédé d'interférence de deux faisceaux laser. Etant donné que l'on peut réaliser des réseaux précis même de grande dimension, ce procédé peut être mis en oeuvre pour la réalisation d'éléments optiques, en particulier de plaques de détection à champ évanescent et de coupleurs optiques pour la technique de communication, lesquels peuvent être, en particulier, utilisés comme filtres pour le multiplexage en longueur d'onde dans des réseaux à fibres de verre.
Duveneck Gert
Edlinger Johannes
Heine Claus
Maisenholder Bernd
Pawlak Michael
Marks & Clerk
Unaxis Balzers Aktiengesellschaft
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1353619