C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
148/2.8
C30B 15/04 (2006.01) C30B 15/00 (2006.01)
Patent
CA 1305397
PRECIS Le procédé selon l'invention consiste à faire croître un monocristal AB à partir d'un bain fondu correspondant, A et B représentant respectivement un élément des colonnes III-V de la classification périodique, à doper ce bain par des ions d'un métal de transition servant à compenser les impuretés résiduelles du substrat, la concentration de ces ions dans le substrat AB étant au plus égale à la solubilité limite de ces ions à la température de recuit dudit substrat, ainsi qu'à doper le bain par des ions d'un élément de la colonne III ou V différent de A et de B. Le substrat obtenu peut être utilisé pour la fabrication de circuits intégrés logiques.
518542
Clerjaud Bernard
Deveaud Benoit
Favennec Pierre Noel
Centre National de La Recherche Scientifique (c.n.r.s.)
Etat Francais Represente Par Le Ministre Des Ptt (centre Nationa
Goudreau Gage Dubuc
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