H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01)
Patent
CA 2514134
The aim of the invention is to produce a waveguide structure in a surface- emitting semiconductor layer having an active zone (3) and a tunnel contact (7) on the p-side of the active zone (3), which borders a second n-doped semiconductor layer (8). To this end, the invention provides that, in a first epitaxial growth process, an n-doped barrier layer (6, 6a) is applied to a p- doped semiconductor layer (5) and is subsequently removed in part whereby forming an aperture (10). In a second epitaxial growth process, the layer provided for the tunnel contact (7) is then applied to the remaining barrier layer (6, 6a) and the aperture (10). By varying the thickness of this barrier layer (6, 6a), the lateral wave guiding and mode selection can be continuously adjusted.
Selon l'invention, il est prévu pour produire une structure de guide d'ondes dans un laser à semi-conducteurs avec une zone active (3) et un contact tunnel (7) sur la face P de la zone active (3), ledit contact tunnel délimitant une couche à semi-conducteurs à dopage de type N (8), d'appliquer une couche d'arrêt à dopage de type N (6, 6a), dans un premier processus de croissance par épitaxie, sur une couche à semi-conducteurs à dopage de type P (5). Ladite couche d'arrêt est ensuite enlevée en partie pour former une ouverture (10). Dans un second processus de croissance par épitaxie, la couche prévue pour le contact tunnel (7) est ensuite appliquée sur la couche d'arrêt (6, 6a) restante, ainsi que sur l'ouverture (10). Le guidage d'ondes et la sélection de modes peuvent être ajustés en permanence, par variation de l'épaisseur de cette couche d'arrêt (6, 6a).
Gowling Lafleur Henderson Llp
Vertilas Gmbh
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1572944