C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/27 (2006.01)
Patent
CA 2691544
The invention relates to a method for forming high sp3 content amorphous carbon coatings deposited by plasma en-hanced chemical vapor deposition on internal surfaces and employing the hollow-cathode technique. This method allows adjustment of tribological properties, such as hardness, Young's modulus, wear resistance and coefficient of friction as well as optical properties, such as refractive index. In addition the resulting coatings are uniform and have high corrosion resistance. By controlling pressure, type of diamondoid precursor and bias voltage, the new method prevents the diamondoid precursor from fully breaking upon impact with the substrate. The diamondoid retains sp3 bonds which yields a high sp3 content film at higher pressure. This enables a faster deposition rate than would be possible without the use of a diamondoid precursor.
L'invention concerne un procédé qui permet de former des revêtements en carbone amorphe à haute teneur en sp3 sur des surfaces internes par dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma, selon la technique de la cathode creuse. Le procédé de l'invention permet d'ajuster des propriétés tribologiques telles que la dureté, le module d'élasticité de Young, la résistance à l'usure et le coefficient de frottement, ainsi que des propriétés optiques, telles que l'indice de réfraction. Les revêtements obtenus sont en outre uniformes et possèdent une résistance élevée à la corrosion. Ledit procédé, en offrant la possibilité de de réguler la pression, le type de précurseur de diamantoïde et la tension de polarisation, permet d'empêcher que le précurseur de diamantoïde ne se brise complètement lors de son impact sur le substrat. Comme le diamantoïde conserve des liaisons sp3, on peut produire un film à teneur élevée en sp3 à une pression plus élevée. L'invention permet d'atteindre une vitesse de dépôt supérieure à celle que l'on pourrait atteindre sans précurseur de diamantoïde.
Boardman William J.
Carlson Robert M.
Casserly Thomas B.
Sciamanna Steven F.
Tudhope Andrew W.
Chevron U.s.a. Inc.
Smart & Biggar
Sub-One Technology Inc.
LandOfFree
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