C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/037 (2006.01) C01B 33/02 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)
Patent
CA 2744802
The present invention relates to a method for producing high purity silicon comprising providing molten silicon containing 1-10% by weight of calcium, casting the molten silicon, crushing the silicon and subjecting the crushed silicon to a first leaching step in an aqueous solution of HCI and/or HCI + FeCI3 and to a second leaching step in an aqueous solution of HF and HNO3. The leached silicon particles is thereafter subjected to heat treatment at a temperature of between 1250°C and 14200C for a period of at least 20 minutes and the heat treated silicon is subjected to a third leaching step in an aqueous solution of HF and HNO3.
La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un silicium de haute pureté consistant à se procurer du silicium fondu contenant 1-10 % en poids de calcium, à couler le silicium fondu, à broyer le silicium et à soumettre le silicium broyé à une première étape de lixiviation dans une solution aqueuse de HCl et/ou HCl + FeCl3 et à une seconde étape de lixiviation dans une solution aqueuse de HF et HNO3. Les particules de silicium lixivié sont par la suite soumises à un traitement thermique à une température entre 1 250°C et 1 420°C pendant une période de temps d'au moins 20 minutes et le silicium traité thermiquement est soumis à une troisième étape de lixiviation dans une solution aqueuse de HF et HNO3.
Elkem Solar As
Macrae & Co.
LandOfFree
Method for producing high purity silicon does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Method for producing high purity silicon, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method for producing high purity silicon will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1891894