C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 7/00 (2006.01) C01B 19/04 (2006.01) C30B 29/60 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2485945
The present invention provides a new method for the production of inorganic semiconductor nanocrystals having a rod-like shape. More specifically the present invention provides a method of synthesizing rod shaped Group III-V semiconductor nanocrystals. The method comprises: reacting, in a high-boiling point organic solvent, a two-source precursor solution comprising at least one metal source and at least one nonmetal source, or a single-source precursor solution, with a metal catalyst or an agent capable of producing said metal catalyst, said high-boiling point organic solvent having a temperature above 200~C, thereby forming a reaction product comprising semiconductor nanocrystals of various shape; cooling the reaction product, and subsequently exposing said cooled reaction product to at least one centrifugal step so as to obtain semiconductor nanocrystals having substantially rod-like shape. The rod-shaped nanocrystals obtained by the method of the invention usually have organic ligands as a coating on their outer surfaces. Such organic ligands affect the solubility of the particles and may be substituted or removed, according to the application intended for said particles after the reaction is completed.
L'invention concerne un nouveau procédé de production de nanocristaux semi-conducteurs inorganiques en forme de tige. L'invention concerne, de manière plus spécifique, un procédé de synthèse de nanocristaux semi-conducteurs du groupe III-V en forme de tige. Ledit procédé consiste à faire réagir, dans un solvant organique à point d'ébullition élevé, une solution de précurseur à deux sources comprenant au moins une source métallique et une source non métallique, ou une solution de précurseur à source unique avec un catalyseur métallique ou un agent capable de produire ledit catalyseur métallique, le solvant organique à point d'ébullition élevé présentant une température supérieure à 200 ·C, ce qui permet de former un produit de réaction comprenant des nanocristaux semi-conducteurs de formes variées; à refroidir le produit de réaction; puis à exposer ledit produit de réaction à au moins une étape de centrifugation afin d'obtenir des nanocristaux semi-conducteurs sensiblement en forme de tige. Les nanocristaux en forme de tige obtenus au moyen du procédé l'invention comprennent habituellement des ligands organiques servant de revêtement sur leurs surfaces extérieures. Ces ligands organiques affectent la solubilité des particules et peuvent être substitués ou supprimés en fonction de l'application envisagée pour les particules une fois la réaction effectuée.
Banin Uri
Kan Shi Hai
Mbm Intellectual Property Law Llp
Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of
LandOfFree
Method for producing inorganic semiconductor nanocrystalline... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Method for producing inorganic semiconductor nanocrystalline..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method for producing inorganic semiconductor nanocrystalline... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1931011