C - Chemistry – Metallurgy – 22 – F
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
22
F
C22F 1/10 (2006.01) C30B 11/00 (2006.01) C30B 13/00 (2006.01) C30B 13/24 (2006.01)
Patent
CA 2230323
In the method for manufacturing monocrystalline structures, parts or workpieces of metallic super-alloys on substrates with a monocrystalline structure or monocrystalline structures, the surface of the substrate is melted with an energy beam of high energy density from an energy source. The material which is to be introduced into the monocrystalline structure is supplied to the melted region of the substrate. The supplied material is completely melted. The energy input with the energy beam is regulated and/or controlled in such a manner that the speed of solidification and the temperature gradient lie in the dendritic crystalline region in the GV diagram, outside the globulitic region.
Selon une méthode de fabrication de structures monocristallines, soit des pièces ou des pièces à produire de superalliage métallique sur des substrats avec une ou des structures monocristallines, la surface du substrat est fondue à l'aide d'un faisceau d'énergie de haute densité provenant d'une source d'énergie. Le matériau devant être introduit dans la structure monocristalline est fourni à la région fondue du substrat. Le matériau fourni est complètement fondu. L'intrant énergétique avec le faisceau d'énergie est régulé et/ou réglé de façon que la vitesse de solidification et que le gradient de température demeurent dans la région cristalline dendritique dans le diagramme GV, à l'extérieur de la région globulitique.
Bieler Hans-Werner
Gaumann Matthias
Kurz Wilfried
Rusterholz Hansjakob
Wagniere Jean-Daniel
Fetherstonhaugh & Co.
Sulzer Innotec Ag
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1723903