Method for selective metal film layer removal using carbon...

H - Electricity – 01 – L

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H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01)

Patent

CA 2422062

A method for the selective removal of the metal film layer (14) accumulated upon a photoresist layer (10) during processing of substrates using a stream of carbon dioxide spray (20) without disturbing conductor portions is provided. A constant stream (20) of high pressure CO2 snow is applied to the metal film layer thereby rapidly cooling the metal layer on top of said resist layer causing it to shrink rapidly, and to debond, and peel from the photoresist layer underneath. The temperature of the substrate is raised and maintained at significantly higher than room temperature. Continuing the application of the CO2 spray causes thermal shock to the photoresist under the metalized layer causing large cracks in the remaining metal layer portions, said cracks typically including at least one loose metal edge. The CO2 spray is continually applied to the cracks thereby peeling away the remaining metal portions, leaving the exposed photoresist and underlying surface features. Preferably, continued treatment of the surface with CO2 snow particals erodes a surface layer of the photoresist and heavily cross-linked layers created during the metalization process. After the metal layer and the surface layer of the photoresist are removed, a simple chemical strip, such as acetone, completely removes all the remaining resist, leaving the wafer with undamaged conductor portions.

La présente invention concerne un procédé permettant l'élimination sélective d'un couche de film métallique (14) s'étant accumulée sur une couche de photorésine (10) durant le traitement de substrats, grâce à un courant de pulvérisation de dioxyde de carbone (20), sans porter atteinte aux parties conductrices. Un courant constant (20) de neige de CO¿2? haute pression est appliqué à la couche de film métallique, ce qui permet de refroidir rapidement la couche métallique se trouvant sur ladite couche de résine, provoquant ainsi son rétrécissement, et ainsi que sa désolidarisation et son enlèvement de la couche de photorésine se trouvant en-dessous. La température du substrat est augmentée et maintenue à une valeur significativement supérieure à celle de la température ambiante. La poursuite de l'application de pulvérisation de CO¿2? provoque un choc thermique à la photorésine qui se trouve en dessous de la couche métallique, ce qui a pour conséquence la formation de craquelures de dimensions supérieures dans les parties de couche métallique restantes, lesdites craquelures comprenant au moins un bord métallique décollé. La pulvérisation de CO¿2? est appliquée en continu sur les craquelures, ce qui permet l'enlèvement des parties métalliques restantes, laissant ainsi les propriétés des surfaces de photorésine et surfaces sous-jacentes. De préférence, le traitement en continu de la surface avec des particules de neige de CO¿2? provoque l'érosion d'une couche de surface de la photorésine et des couches plus fortement réticulées produites durant le processus de métallisation. Après élimination de la couche métallique et de la couche de surface de la photorésine, un simple agent de décapage chimique, tel que l'acétone, permet d'éliminer complètement toute la résine restante, laissant ainsi la plaquette avec des parties conductrices non endommagées.

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