H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/77 (2006.01) H01L 21/8222 (2006.01) H01L 21/8249 (2006.01)
Patent
CA 2349559
The present invention relates to a method for semiconductor manufacturing of one semiconductor circuit, having a multiple of active devices NMOS1, NMOS2, NPN1, NPN2 of one type. The method comprises the steps of arranging a first region (4, 16) on a semiconductor substrate (1), and implementing two active devices of said type, having different sets of characteristics, in said first region (4, 16). The step of implementing said active devices comprises a step of creating a first (6', 10') and a second (6'', 10'') subregion within said first region (4, 16), and said step further comprising a step of introducing a first P1, P3 and a second P2, P4 dopant having different sets of dose parameters, into a first and a second area, respectively, of said first region, said dopants being of a similar type p, and a step of annealing said substrate (1) to create said first (6', 10') and second (6'', 10'') subregion, respectively, whereby two subregions, having different doping profiles, can be fabricated on a single integrated circuit.
L'invention concerne un procédé servant à la fabrication de semi-conducteurs d'un circuit à semi-conducteur ayant plusieurs dispositifs actifs NMOS1, NMOS2, NPN1, NPN2 d'un type donné. Le procédé consiste à agencer une première région (4, 16) sur un substrat à semi-conducteur (1) et à mettre en oeuvre deux dispositifs actifs dudit type, ayant des ensembles de caractéristiques différents, dans ladite première région (4, 16). L'étape de la mise en oeuvre desdits dispositifs actifs consiste à créer une première (6', 10') puis une seconde (6'', 10'') sous régions à l'intérieur de ladite première région (4, 16), ladite étape consistant en outre à introduire un premier (P¿1?, P¿3?) puis un second (P¿2?, P¿4?) dopants ayant des ensembles différents de paramètres de dosage, dans une première et une seconde zones, respectivement, de ladite première région, les dopants étant d'un type p similaire, et à recuire ledit substrat (1) afin de créer lesdites première (6', 10') et seconde (6'', 10'') sous régions, respectivement. Les deux sous régions, dont les profils dopants sont différents, peuvent être fabriquées sur un seul circuit intégré.
Johansson Ted
Nystrom Jan Christian
Mccarthy Tetrault Llp
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2001191