H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/04 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01)
Patent
CA 2583760
A method for production of a solar cell (1), comprising a semiconductor substrate (2), is disclosed, the electrical contact of which is achieved on the back face of the semiconductor substrate. The back face of the semiconductor substrate comprises locally doped regions (3). The adjacent regions (4) have a different doping from said region (3). According to the invention, short-circuiting of the conducting material (5) of the solar cell may be avoided, whereby both regions (3,4), at least at the boundaries (6) thereof, are coated with a thin electrically-insulating layer (7). Both regions (3,4) are then coated over the whole surface thereof with an electrically-conducting material (5). The separation of the electrically- conducting layers (5) is achieved by application of an etching barrier layer (8) to the whole surface, which is then selectively removed without a mask, for example by laser ablation, locally above the insulating layer (7). By the subsequent attack of an etching solution the etching barrier layer (8) is locally removed from the conducting layer (5) in the region of the openings (9).
L'invention concerne un procédé de production d'une cellule solaire (1) avec un substrat de semiconducteur (2), cellule dont le contact électrique est établi sur la face arrière du substrat de semiconducteur. La face arrière du substrat de semiconducteur présente des zones dopées localement (3). Les zones adjacentes (4) présentent un dopage différent de la zone (3). Afin que le matériau conducteur (5) ne court-circuite pas la cellule solaire, les deux zones (3, 4) sont recouvertes d'une couche mince électriquement isolante (7) au moins sur leurs bords (6). Ces deux zones (3, 4) sont enduites d'un matériau électroconducteur (5) sur toute leur surface. L'isolation de la couche électroconductrice (5) est obtenue par l'application d'une couche barrière d'attaque (8) sur toute la surface, laquelle couche est ensuite enlevée localement sans masque et sélectivement, p. ex. par ablation laser, au-dessus de la couche isolante (7). La couche conductrice (5) est enlevée localement par l'attaque consécutive d'une solution d'attaque au niveau des ouvertures (9) de la couche barrière d'attaque (8).
Engelhart Peter
Mueller Joerg
Teppe Andreas
Borden Ladner Gervais Llp
Institut Fuer Solarenergieforschung Gmbh
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1492238