C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 25/04 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
Patent
CA 2097472
A method is disclosed for producing large single crystals. In one embodiment, a single crystal of electronic grade diamond is produced having a thickness of approximately 100-1000 microns and an area of substantially greater than 1 cm2. and having a high crystalline perfection which can be used in electronic, optical, mechanical and other applications. A single crystalline diamond layer is first deposited onto a master seed crystal and the resulting diamond layers can be separated from the seed crystal by physical, mechanical and chemical means. The original master seed can be restored by epitaxial growth for repetitive use as seed crystal in subsequent operations. Large master single crystal diamond seed can be generated by a combination of oriented smaller seed crystals by lateral epitaxial fusion. Since there is no limit to how many times seed combination step can be repeated, large diamond freestanding wafers comparable in size to silicon wafers can be manufactured.
L'invention est une méthode de production de monocristaux de grande taille. Dans l'une des concrétisations de l'invention, un monocristal de diamant de qualité électronique d'une épaisseur de 100 à 1 000 micromètres environ et d'une aire substantiellement supérieure à 1 cm2 et ayant une perfection cristalline élevée qui peut être utilisé dans les applications électroniques, optiques, mécaniques et autres est produit. Une couche de diamant monocristallin est d'abord déposée sur un cristal maître servant de germe et les couches de diamant résultantes peuvent être séparées du germe par des moyens physiques, mécaniques et chimiques. Le germe d'origine peut être reconstitué par croissance épitaxiale pour être réutilisé comme germe dans les opérations ultérieures. Des germes de diamant monocristallin de grande taille peuvent être produits en combinant des germes orientés de taille plus petite par une fusion épitaxiale latérale. Étant donné qu'il n'y a pas de limite quant au nombre de répétitions des combinaisons de germes, on peut fabriquer des plaquettes de diamant autonomes de taille comparable à celle des plaquettes de silicium.
Hoover David S.
Vichr Miroslav
Air Products And Chemicals Inc.
Mcfadden Fincham
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2008272