H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/032 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
Patent
CA 2539556
This invention relates to a method for producing group IB-IIIA-VIA quaternary or higher alloy semiconductor films wherein the method comprises the steps of (i) providing a metal film comprising a mixture of group IB and group IIIA metals; (ii) heat treating the metal film in the presence of a source of a first group VIA element (said first group VIA element hereinafter being referred to as VIA1 ) under conditions to form a first film comprising a mixture of at least one binary alloy selected from the group consisting of a group IB -VIA1 alloy and a group IIIA~-VIA1 alloy and at least one group IB- IIIA-VIA1 ternary alloy (iii) optionally heat treating the first film in the presence of a source of a second group VIA element (said second group VI element hereinafter being referred to as VIA2) under conditions to convert the first film into a second film comprising at least one alloy selected from the group consisting of a group IB-VIA1-VIA2 alloy and a group IIIA-VIA1-VIA2 alloy; and the at least one group IB-~III-VIA1 ternary alloy of step (ii); (iv) heat treating either the first film or second film to form a group IB- IIIA-VIA quaternary or higher alloy semiconductor film.
Cette méthode de préparation de films semiconducteurs en alliages quaternaires ou supérieurs des groupes IB-IIIA-VIA comprend les étapes suivantes : (i) on prépare un film métallique comprenant un mélange de métaux du groupe IB et du groupe IIIA ; (ii) on soumet le film métallique à un traitement thermique en présence d'une source d'un premier élément du groupe VIA (VIA¿1?), dans des conditions qui permettent de former un premier film qui comprend un mélange d'au moins un alliage binaire sélectionné dans le groupe constitué d'un alliage des groupes IB-VIA¿1? et d'un alliage des groupes IIIA-VIA¿1?, ainsi qu'au moins un alliage ternaire des groupes IB-IIIA-VIA¿1 ?; (iii) on soumet facultativement le premier film à un traitement thermique en présence d'une source d'un second élément du groupe VIA (VIA¿2?), dans des conditions qui permettent de convertir le premier film en un deuxième film qui comprend au moins un alliage sélectionné dans le groupe constitué d'un alliage des groupes IB-VIA¿1?-VIA¿2? et d'un alliage des groupes IIIA-VIA¿1?-VIA¿2?, et au moins un alliage ternaire des groupes IB-III-VIA¿1? obtenu pendant l'étape (ii) ; et (iv) on soumet le premier ou le deuxième film à un traitement thermique afin de former un film semiconducteur en un alliage quaternaire ou supérieur des groupes IB-IIIA-VIA.
Smart & Biggar
University Of Johannesburg
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1902161