C - Chemistry – Metallurgy – 12 – P
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
12
P
C12P 21/08 (2006.01) C07K 16/00 (2006.01) C12P 21/04 (2006.01) C12N 15/81 (2006.01)
Patent
CA 2759370
The present invention relates to a method for producing a domain antibody in a host other than E. coli, preferably yeast, comprising a) applying conditions that promote the formation of disulfide bridges in domain antibodies, or b) removing domain antibodies lacking at least one disulfide bridge, or c) a combination of (a) and (b). More specifically, the present invention relates to a method, wherein said conditions that promote the formation of disulfide brides are selected from one or more of the following: a) addition of oxidizing agents, preferably oxidizing metal ions, preferably one or more selected from Cu2+, Fe2+, Fe3+ and Zn2+; b) co-expression of the domain antibody with a thiol isomerase; c) adapting the culturing conditions by one or more selected from the following: lowering culturing temperature and/or optimizing the culturing medium, including but not limited to reduction of methanol feed for hosts requiring a methanol feed, lowering conductivity of the culture medium, addition of yeast extract and/or peptone, or any combination thereof; d) refolding the domain antibody in the presence of denaturant and redox-buffer e) treating the domain antibody by oxygenation, increasing temperature, increasing pH, high pressure or any combination thereof, and f ) combinations of any of a) through e), or wherein conditions that remove domain antibodies lacking at least one disulfide bridge are selected from a) binding domain antibodies comprising free thiol groups to suitable reactive groups, including but not limited to immobilized thiol groups, optionally under denaturing conditions; b) reverse phase high performance chromatography.
La présente invention concerne un procédé de production d'un anticorps à domaines dans un hôte autre que E. coli, de préférence une levure, consistant à a) appliquer des conditions qui favorisent la formation de ponts disulfures dans des anticorps à domaines, ou b) extraire des anticorps à domaines qui sont dépourvus d'au moins un pont disulfure, ou c) une combinaison de a) et de b). Plus précisément, l'invention concerne un procédé dans lequel lesdites conditions qui favorisent la formation de ponts disulfures sont choisies parmi une ou plusieurs des conditions suivantes : a) l'ajout d'agents oxydants, de préférence des ions métalliques oxydants, de préférence un ou plusieurs ions choisis parmi Cu2+, Fe2+, Fe3+ et Zn2+ ; b) la coexpression de l'anticorps à domaines avec une thiol isomérase ; c) l'adaptation des conditions de culture par au moins une des actions suivantes : la diminution de la température de culture et/ou l'optimisation du milieu de culture, notamment mais sans caractère limitatif, la réduction de l'apport en méthanol pour les hôtes exigeant un apport en méthanol, la diminution de la conductivité du milieu de culture, l'ajout d'un extrait de levure et/ou de peptone, ou toute combinaison des actions précédentes ; d) le repliement de l'anticorps à domaines en présence d'un tampon dénaturant et redox ; e) le traitement de l'anticorps à domaines par oxygénation, augmentation de la température, augmentation du pH, haute pression ou toute combinaison de ces actions, et f) des combinaisons de n'importe lesquelles des actions a) à e), ou dans lequel lesdites conditions qui permettent d'extraire des anticorps à domaines qui sont dépourvus d'au moins un pont disulfure sont choisies parmi a) la liaison des anticorps à domaines comprenant des groupes thiols à des groupes réactifs appropriés, y compris mais sans caractère limitatif, des groupes thiols immobilisés, éventuellement dans des conditions dénaturantes ; b) une chromatographie haute performance en phase inverse.
Jonniaux Jean-Luc
Labeur Christine
Lauwereys Marc Jozef
Schotte Peter
Stanssens Patrick
Ablynx N.v.
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1343386