C - Chemistry – Metallurgy – 25 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
25
B
C25B 1/00 (2006.01) C25C 3/24 (2006.01) C25C 3/28 (2006.01)
Patent
CA 2650738
A method for the purification of a semiconductor material, the method comprising the steps of : a) the oxidation at an anode (6), which is placed in an anodic electrolyte, of a solid semiconductor material to be purified by- application of one or more ionic compounds; b) the reduction at a cathode (5), which is placed in a cathodic electrolyte, of one or more compounds obtained in step a), to a purified, solid semiconductor material where one or more ionic compounds are also formed; where the one or more ionic compounds that are formed in step b) are applied in step a) and the anode and cathode are mutually connected for electron transfer. The formed ionic compounds are purified externally. The present method can for example be applied for the purification of silicon.
La présente invention concerne un procédé de purification d'un matériau semi-conducteur dont les étapes consistent à : a) oxyder au niveau d'une anode qui est placée dans un électrolyte anodique, un matériau semi-conducteur solide à purifier par application d'un composé ionique ou plus; b) réduire au niveau d'une cathode qui est placée dans un électrolyte cathodique, un ou plusieurs composés obtenus à l'étape a) pour obtenir un matériau semi-conducteur solide purifié, au moins un composé ionique étant également formé; le ou les composés ioniques formés à l'étape b) étant appliqués à l'étape a) et l'anode et la cathode étant connectées pour le transfert d'électrons. Les composés ioniques formés sont purifiés en externe. Le présent procédé peut par exemple être appliqué pour la purification de silicium.
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Girasolar B.v.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1365028