C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 21/064 (2006.01) C01B 21/06 (2006.01) C01B 21/072 (2006.01) C30B 11/00 (2006.01) C30B 15/00 (2006.01) H01L 21/208 (2006.01)
Patent
CA 2271117
A novel method for the synthesis of Group III nitride crystals is disclosed. The method contemplates the reaction of a liquid form of the Group III nitride metal with active nitrogen. The active nitrogen may be generated by a plasma or the thermal decomposition of ammonia and may be neutral, ionic, excited or a mixture thereof. Using the method of the present invention, the crystalline Group III nitride can be grown at pressures of one atmosphere and below. Polycrystalline films grown by this method are of sufficient quality to show luminescence at room temperature.
L'invention concerne un procédé de synthèse de cristaux de nitrure de groupe III, qui consiste à faire réagir une forme liquide du métal nitruré de groupe III avec de l'azote actif. Ledit azote actif peut être généré par un plasma ou la décomposition thermique d'ammoniac et peut être neutre, ionique, excité ou un mélange de cela. Le procédé de l'invention permet de former un nitrure cristallin de groupe III à des pressions d'une atmosphère et moins. Les couches polycristallines formées selon ce procédé présentent une qualité suffisante pour être luminescentes à la température ambiante.
Angus John C.
Argoitia Alberto
Hayman Cliff C.
Case Western Reserve University
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2023002