A - Human Necessities – 61 – B
Patent
A - Human Necessities
61
B
A61B 5/06 (2006.01) A61N 5/06 (2006.01) A61N 5/073 (2006.01)
Patent
CA 2251551
The invention relates to medicine and is designed to treat diseases accompanied by metabolic disorder, weakening of enzymatic processes, regenerative function disorder of affected tissues. The method of treating pathological tissues with a noncoherent emission implies a periodic irradiation during 1-20 minutes with IR emission having the emission power density of 50-300 mW/cm2. The irradiation is repeated in one or two days depending on the time needed to stop the pain syndrome in the process of healing of pathological tissues. The proposed method implies that the irradiation is directed at the skin site directly over the organ responsible for the course of a disease caused by metabolic, enzymatic and regeneration process disorders in tissues, said irradiation being performed by an emission in the 1-56 µm waveband in combination with linear polarization and time modulation. The method uses a package of different wavelengths within a preset range with a linear polarization and time modulation introduced depending on the nature of disease. The emission power density is also selected depending on the nature of the disease. When an electric control signal is fed from additional power supplies of the control system (2), the suggested device provides such parameters of the emission that permit to obtain the maximum curing effect. The emission source is pre-calibrated to provide a required emission power density. A broad band 28 semiconductor silicon light emitting diode (LED) based on a supershallow "p-n" transition with the waveband of noncoherent IR emission ranging from 1 to 56 µm as the emitter. The power supply (1) is connected along the plane (a) of "p+n" or "n+p" transition to provide electric current inside the doped "p+n" or "n+p" region. The control system (2) is equipped with leads (c, d, e) for additional sources of electric field that are connected to the LED in such a way that the electric field is applied along the plane (a) of "p+n" transition providing a reverse and direct shift at the "p+n" transition. The control system (2) controls the spectrum range of the emitted light wavelengths, the degree of linear polarization and the frequency of time modulation. The control system (2) controls the LED by the electric field fed from the additional power supplies through leads (c, d, e). The value of the electric field is selected depending on the nature of the disease.
Cette invention concerne un procédé de traitement d'états pathologiques de tissus à l'aide d'un rayonnement non cohérent. Ce procédé consiste à effectuer une irradiation périodique à l'aide d'un rayonnement infrarouge, ceci pendant une durée de 1 à 20 minutes, selon une densité de puissance du rayonnement de 50 à 300 MW/cm<2> et pendant 1 à 2 jours, tout en tenant compte du temps nécessaire pour arrêter le syndrome de la douleur lors de la cicatrisation desdits tissus. Cette irradiation se fait au-dessus d'une partie de la peau qui est elle-même située au-dessus de l'organe responsable de l'évolution de la maladie, cette dernière ayant été déclenchée par une rupture des processus d'échange, de fermentation et de régénération dans les tissus. Ce rayonnement possède une longueur d'onde allant de 1 à 56 mu m, ceci en fonction de sa polarisation linéaire et de sa modulation temporelle qui sont choisies d'après le caractère de l'affection. Lorsqu'on lui envoie un signal électrique de commande d'un système de commande (2) qui provient de plusieurs sources d'alimentation électriques complémentaires, le dispositif va effectuer le réglage des caractéristiques correspondantes du rayonnement émis par un émetteur de lumière (3). La source de rayonnement est préalablement étalonnée en fonction de la densité du flux de rayonnement. On utilise en qualité d'émetteur de lumière (3) une photodiode à base de silicium, à semi-conducteur et à bande large. Cette photodiode possède une longueur d'onde de rayonnement infrarouge non cohérent allant de 1 à 56 mu m, ainsi qu'une jonction p-n d'une profondeur extrêmement faible. La source d'alimentation (1) est connectée le long du plan (a) p-n ou n-p de la jonction, et assure le passage du courant à travers la zone dopée p-n ou n-p. Le système de commande (2) possède des connecteurs d'alimentation (c, d, e) pour des sources complémentaires de champ électrique, lesquels sont connectés à la photodiode de manière à ce que le champ agisse le long du plan (a) p-n de la jonction, et empêche tout déplacement retour ou direct sur ladite jonction p-n.
Bagraev Nikolai Taimurazovich
Klyachkin Leonid Efimovich
Bagraev Nikolai Taimurazovich
Borden Ladner Gervais Llp
Klyachkin Leonid Efimovich
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