C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/00 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 28/00 (2006.01)
Patent
CA 2505027
The invention relates to a method for vapor-depositing strip-shaped substrates with a transparent barrier layer made of aluminum oxide by reactively vaporizing aluminum and admitting reactive gas in a strip vapor-deposition installation. The invention provides that, before coating with aluminum oxide, a partially enclosed layer made of a metal or of a metal oxide is applied to the substrate by magnetron sputtering.
L'invention concerne un procédé de métallisation de substrats en forme de bande par dépôt sous vide d'une couche barrière transparente d'oxyde d'aluminium par évaporation réactive d'aluminium et introduction d'un gaz réactif dans une installation de métallisation sous vide sur bande. Ce procédé se caractérise en ce qu'une couche partiellement fermée constituée d'un métal ou d'un oxyde métallique est appliquée sur le substrat par pulvérisation magnétron avant le dépôt de la couche d'oxyde d'aluminium.
Charton Christoph
Fahland Matthias
Raebisch Mathias
Schiller Nicolas
Straach Steffen
Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung
Miller Thomson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1390753