H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2006.01) H01S 5/026 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01)
Patent
CA 2352228
The present invention relates to a method for manufacturing a plurality of semiconductor photonic integrated circuit comprising at least a laser and a modulator connected optically to one another. Each laser and modulator has a waveguide layer being implemented on a single substrate, where said modulator is formed by use of a selective area growth technique. By providing modulator masking parts with selectable width to compensate a difference in band-gap energy in the waveguide layer between the laser and the modulator an approximate uniform difference in band-gap energy between the optically connected laser and modulator may be obtained.
La présente invention concerne un procédé de fabrication de plusieurs circuits intégrés photoniques à semi-conducteurs comprenant au moins un laser et un modulateur reliés optiquement l'un à l'autre. Chaque laser et chaque modulateur comportent une couche guide d'ondes située sur un substrat unique, ledit modulateur étant formé au moyen d'une technique de développement de zone sélective. En utilisant des parties de masquage pour le modulateur d'une largeur sélectionnable pour compenser une différence de largeur de bande interdite dans la couche guide d'ondes entre le laser et le modulateur, on peut obtenir une différence uniforme approximative de la largeur de bande interdite entre le laser et le modulateur optiquement couplés.
Bendz Eskil
Lundqvist Lennart
Mccarthy Tetrault Llp
Northlight Optronics Ab
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (publ)
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1822144