C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/02 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/503 (2006.01)
Patent
CA 2076029
L'invention concerne un procédé de dépôt d'une mince couche d'oxyde de silicium liée à un substrat en un matériau poly- mère comprenant, concomitamment ou successivement (1) la soumission d'une surface du substrat à une décharge électrique à barrière diélectrique et (2) l'exposition de ladite surface du substrat à une atmosphère contenant un silane, grâce à quoi il se forme un dépôt d'oxyde de silicium lié à ladite surface du substrat. Application à la production de feuilles ou pellicules utiles no- tamment comme emballage alimentaire.
Bouard Pascal
Gastiger Michel
Slootman Franciscus
Willemot Antoine
L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Proced Es Geo
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1738666