C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/20 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01) C23C 18/08 (2006.01) C23C 18/10 (2006.01)
Patent
CA 2168214
A method of depositing a Group IIIA metal layer of high purity on a substrate comprises pyrolyzing contacting the substrate with a tritertiary butyl compound of the Group IIIA metal and pyrolyzing the compound to leave the Group IIIA metal deposited on the substrate. The method of the invention may be used on any suitable substrate, such as silicon or polyimide. The method of the invention may be used for the growth of Group IIIA/silicon alloys as well as for depositing semi-conducting III-V alloys such as, for example, AlGaAs, AlInAs and AlSb.
Un procédé de dépôt de films de métaux du groupe IIIA de grande pureté sur des substrats comprend la mise en contact par pyrolyse du substrat avec un composé butylique tritertiaire du métal du groupe IIIA et la pyrolyse du composé de façon à laisser un dépôt du métal du groupe IIIA sur le substrat. Le procédé selon l'invention peut être utilisé sur un quelconque substrat approprié, tel que du silicium ou du polyimide. Le procédé selon l'invention peut être utilisé pour la croissance d'alliages de métaux du groupe IIIA et de silicium, ainsi que pour le dépôt d'alliages semi-conducteurs III-V, par exemple alGaAS, AlInAs et AlSb.
Epichem Limited
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1792785