H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/8232 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) H01L 29/10 (2006.01) H01L 29/788 (2006.01)
Patent
CA 2226015
In a flash E2PROM cell having source and drain regions disposed in a substrate, a channel region intermediate to the source and drain regions, a tunnel dielectric layer overlying the channel region, a floating gate overlying the tunnel dielectric layer, an inter-poly dielectric layer overlying the floating gate and a control gate overlying the inter-poly dielectric layer, the improvement comprising a highly doped p+ pocket implant covering a portion of the cell width and adjacent to least one of the source and drain regions. The flash E2PROM cell is comprised of two sections butted together. The portion (width-wise) covered by the highly doped p+ pocket implant is referred to as the program section and the remaining portion (width- wise) not covered by the highly doped p+ pocket implant resembles a conventional E2PROM cell and is referred to as the sense section. The highly doped p+ pocket implanted and the n+ drain and/or source regions create a junction having narrow depletion width such that in the event the junction is reverse biased, an electric field is created for generating hot electrons for storage on the floating gate, thereby programming the flash E2PROM cell when a high positive potential is applied to the control gate. The cell according to the present invention provides short programming time and low operating voltages as compared to prior art devices.
Cette invention concerne un cellule de mémoire flash E?2¿PROM qui possède des régions de source et de drain situées sur un substrat, une région canal intermédiaire située entre les régions de source et de drain, une couche diélectrique à effet tunnel recouvrant la région canal, une grille flottante recouvrant la couche diélectrique à effet tunnel, une couche diélectrique inter-poly recouvrant la grille flottante, ainsi qu'une grille de commande recouvrant la couche diélectrique inter-poly. Le perfectionnement consiste en un implant d'un îlot p?+¿ fortement dopé qui recouvre une partie de la largeur de la cellule, et qui se trouve en position adjacente par rapport à l'une au moins des régions de source et de drain. Cette cellule de mémoire flash E?2¿PROM se compose de deux sections en butée. La partie (dans le sens de la largeur) recouverte par l'implant d'îlot p?+¿ fortement dopé est appelée section programme, tandis que la partie restante (dans le sens de la largeur) qui n'est pas recouverte par l'implant d'îlot p?+¿ fortement dopé ressemble à une cellule de mémoire flash E?2¿PROM classique, et est appelée section détection. L'implant d'îlot p?+¿ fortement dopé et les régions de drain et/ou de source n?+¿ forment une jonction à largeur de déplétion étroite, de sorte que lorsque la polarisation de cette jonction est inversée, un champ électrique est émis qui va générer des électrons chauds en vue d'un stockage sur la grille flottante, ce qui permet de programmer la cellule de mémoire flash E?2¿PROM lorsqu'un potentiel positif élevé est appliqué à la grille de commande. La cellule décrite dans la présente invention possède un temps de programmation court et des tensions de fonctionnement basses par rapport aux dispositifs connus en l'état actuel de la technique.
Gulerson Elvira
Kalastirsky Ivan
Ng Wai Tung
Ranaweera Jeewika Chandanie
Salama Clement Andre T.
Gulerson Elvira
Kalastirsky Ivan
Ng Wai Tung
Ranaweera Jeewika Chandanie
Salama Clement Andre T.
LandOfFree
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