Method of fabricating an integrated optical component

Details Method of fabricating an integrated optical component Method of fabricating an integrated optical component

G - Physics

02

B

G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/13 (2006.01) G02B 6/136 (2006.01) G02B 6/30 (2006.01)

Patent

CA 2386679

A method of fabricating an integrated optical component on a silicon-on- insulator chip comprising a silicon layer (1) separated from a substrate (2) by an insulating layer (3), the component having a first set of features, eg a rib waveguide (5) at a first level in the silicon layer (1) adjacent the insulating layer (3) and a second set of features, eg a triangular section (6B) at a second level in the silicon layer (1) further from the insulating layer (3), the method comprising the steps of: selecting a silicon-on- insulator chip having a silicon layer (1) of sufficient thickness for the first set of features; fabricating the first set of features in the silicon layer (1) at a first level in the silicon layer; increasing the thickness of the silicon layer (1) in selected areas to form a second level of the silicon layer (1) over part of the first level; and then fabricating the second set of features at the second level in the silicon layer (1).

Procédé de fabrication d'un composant optique intégré sur une puce silicium sur isolant qui comporte une couche de silicium (1) séparée d'un substrat (2) par une couche isolante (3). Ledit composant possède un premier groupe d'éléments, par exemple un guide d'ondes (5) à nervure à un premier niveau dans la couche de silicium (1) adjacent à la couche isolante (3) et un second groupe d'éléments, par exemple une partie triangulaire (6B) à un second niveau de la couche de silicium (1) qui est plus éloigné de la couche isolante (3). Ledit procédé consiste à choisir une puce silicium sur isolant ayant une couche de silicium (1) d'une épaisseur suffisante pour le premier groupe d'éléments, à fabriquer le premier groupe d'éléments dans la couche de silicium (1) à un premier niveau de ladite couche, à augmenter l'épaisseur de la couche de silicium (1) dans des zones sélectionnées pour former un second niveau de la couche de silicium (1) sur une partie du premier niveau, puis à fabriquer le second groupe d'éléments au second niveau dans la couche de silicium (1).

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