H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01) H01L 31/0256 (2006.01)
Patent
CA 2657504
Electronic and opto-electronic devices having epitaxially-deposited III/V compounds on vicinal group IV substrates and method for making same. The devices include an AlAs nucleating layer on a Ge substrate. The group IV substrate contains a p-n junction whose change of characteristics during epitaxial growth of As-containing layers is minimized by the AlAs nucleating layer. The AlAs nucleating layer provides improved morphology of the devices and a means to control the position of a p-n junction near the surface of the group IV substrate through diffusion of As and/or P and near the bottom of the III/V structure through minimized diffusion of the group IV element.
La présente invention concerne des dispositifs électroniques et optoélectroniques comportant des composés des groupes III/V déposés épitaxiquement sur des substrats vicinaux du groupe IV et leurs procédés de fabrication. Ces dispositifs comprennent une couche de nucléation d'AlAs sur un substrat de Ge. Le substrat du groupe IV contient une jonction p-n dont les changements de caractéristiques pendant la croissance épitaxique de couches contenant de l'As sont minimisés par la couche de nucléation d'AlAs. La couche de nucléation d'AlAs permet d'améliorer la morphologie des dispositifs et de contrôler la position d'une jonction p-n près de la surface du substrat du groupe IV par diffusion d'As et/ou de P et près du fond de la structure des groupes III/V en minimisant la diffusion de l'élément du groupe IV.
Fafard Simon
Puetz Norbert
Riel Joseph Rene Bruno
Borden Ladner Gervais Llp
Cyrium Technologies Incorporated
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1645087