Method of fabricating semiconductor laser

Details Method of fabricating semiconductor laser Method of fabricating semiconductor laser

H - Electricity

01

L

H01L 21/82 (2006.01) H01L 21/24 (2006.01) H01S 5/223 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2246975

In a self-aligned structure semiconductor laser in which a pair of optical guide layers are respectively formed on both faces of an active layer, the optical guide layers having a bandgap which is wider than that of the active layer, a pair of cladding layers are formed so as to sandwich the active layer and the optical guide layers, the cladding layers having a bandgap which is wider than bandgap of the optical guide layers, a pair of carrier blocking layers are respectively formed between the active layer and the optical guide layers, the carrier blocking layers having a bandgap which is wider than bandgaps of the active layer and the optical guide layers, and a current blocking layer having a stripe-like window is embedded in at least one of the optical guide layers, the current blocking layer is formed by selective growth. In this way, a window of a current blocking layer can be accurately formed and the fabrication yield can be improved while avoiding maleffects on other layers.

Dans un laser à semi-conducteurs autoalignés comportant une paire de couches de guidage optique formées respectivement sur les deux faces d'une couche active, les couches de guidage optique comportant une largeur de bande interdite plus large que celle de la couche active, une paire de couches de métallisation sont formées pour maintenir en sandwich la couche active et les couches de guidage optique, les couches de métallisation ayant une largeur de bande interdite plus large que la largeur de bande interdite des couches de guidage optique, une paire de couches de blocage de support étant respectivement formées entre la couche active et les couches de guidage optique, les couches de blocage de support ayant une largeur de bande interdite plus large que la largeur de bande interdite de la couche active et des couches de guidage optique; une couche de blocage de courant ayant une fenêtre en forme de ruban est noyée dans au moins une des deux couches de guidage optique, la couche de blocage de courant étant formée par croissance sélective. De cette façon, une fenêtre peut être formée avec précision dans une couche de blocage de courant, l'amélioration du rendement n'ayant aucune incidence négative sur les autres couches.

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