Method of forming a silicon layer on a surface

Details Method of forming a silicon layer on a surface Method of forming a silicon layer on a surface

B - Operations, Transporting

32

B

B32B 9/00 (2006.01) B05D 3/06 (2006.01) C03C 17/22 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) C23C 14/22 (2006.01)

Patent

CA 2288757

A method of forming a layer of silicon on a surface of a substrate (10) comprises the steps of depositing silicon on the surface by a physical deposition process such as electron beam evaporation using a silicon source (4) and, during said deposition process, subjecting the forming film to ionic bombardment from an ion gun (20). The resultant silicon film has stresses which are considerably reduced compared to a film produced by an ordinary physical deposition process. This method is particularly well adapted to the formation of relatively thick silicon layers (lµm) on a layer (or stack of layers) of silica, to serve as an etching mask in a subsequent deep etching of the silica by reactive ion etching.

Cette invention concerne un procédé de formation d'une couche de silicium à la surface d'un substrat (10), lequel procédé consiste tout d'abord à déposer du silicium sur cette surface à l'aide d'une source de silicium (4) et au cours d'un processus de déposition physique tel qu'une évaporation par faisceau d'électrons. Au cours du processus de déposition, le film de mise en forme est soumis à un bombardement ionique à l'aide d'un canon à ions (20). Le film de silicium ainsi obtenu possède des contraintes qui sont sensiblement réduites par rapport à celles de films produits lors de processus de déposition physique traditionnels. Ce procédé convient tout particulièrement à la formation de couches de silicium relativement épaisses (?1µm) sur une couche (ou une pile de couches) de silice, lesquelles couches de silicium peuvent ainsi servir de masque de gravure lors de la gravure en profondeur de la silice selon un procédé de gravure ionique réactive.

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