C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 25/18 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
Patent
CA 2055400
A crystal forming method comprises disposing, on a surface of a substrate or in recessed portion formed in the substrate having a surface with a low nucleation density, primary seed having a sufficient small volume to singly aggregate and a rectangular prismatic or cubic shape in which all the sides and the bottom are surrounded by an insulator in contact therewith; performing heat treatment for aggregating the primary seed to form monocrystalline seed crystal having controlled plane orientation and in-plane orientation; and selectively growing monocrystal by crystal growth treatment using the seed crystal as starting point.
Méthode de formation de cristal qui consiste à placer, sur une surface d'un substrat ou dans une portion en retrait formée dans le substrat ayant une surface à faible densité de nucléation, un germe primaire ayant un volume suffisamment petit pour s'agréger individuellement et une forme prismatique rectangulaire ou cubique dans laquelle toutes les faces, dont le fond, sont entourés par un isolant en contact avec ces faces; à appliquer un traitement thermique pour agréger le germe primaire pour former un cristal germe monocristallin ayant une orientation des plans et une orientation dans le plan contrôlées; et à faire croître sélectivement un monocristal en appliquant un traitement de croissance du cristal utilisant le germe comme point de départ.
Canon Kabushiki Kaisha
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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