C - Chemistry – Metallurgy – 01 – G
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
G
C01G 1/00 (2006.01) C01G 1/02 (2006.01) C01G 25/00 (2006.01) C01G 35/00 (2006.01) H01L 21/3105 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/314 (2006.01)
Patent
CA 2351607
A method for producing an excellent inorganic compound solid substance (such as ferroelectric film) by heat treatment at a relatively low temperature by using an organic compound material containing a metallic element. To form a ferroelectric film, a solution of an organic compound material containing a metallic element is applied to a semiconductor substrate (S41), the substrate is dried (S42) and preliminarily baked (S43), the steps are repeated until the thickness of the film formed on the substrate reaches a predetermined value, organic substances are removed by, for example, a heat treatment (at about 550~C) in a low-pressure atmosphere (at about 50 Torr) (S45), the inorganic compound material obtained by the organic substance removal is baked at, for example, about 550~C to crystallize the organic compound material (S46).
La présente invention concerne un procédé permettant de produire une excellente substance solide à base de composé inorganique (telle qu'un film ferroélectrique) par traitement thermique à relativement basse en utilisant un matériau composé organique contenant un élément métallique. Pour former un film ferroélectrique, une solution d'un matériau composé organique contenant un élément métallique est appliquée à un substrat semi-conducteur (S41). Le substrat est séché (S42) et séché en première intention (S43). Les opérations se répètent jusqu'à ce que l'épaisseur du film formé sur le substrat atteigne une valeur définie. Des substances organiques sont éliminées notamment par traitement thermique (à environ 550·C) dans une atmosphère à basse pression (à environ 50 Torr) (S45). Le matériau à base de composé inorganique obtenu par élimination de substance organique est cuit notamment à une température d'environ 550·C de façon à cristalliser le matériau à base de composé inorganique (S46).
Fujimori Yoshikazu
Nakamura Takashi
Adams Thomas
Rohm Co. Ltd.
LandOfFree
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