H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/306 (2006.01)
Patent
CA 2386133
A semiconductor dry etching process that provides deep, smooth (RMS of less than approximately 5 mm), and vertical etching of InP-based materials with ICP RIE using a chlorinated plasma with the addition of hydrogen gas. Inert gases such as nitrogen, argon, or both may also be included. To produce relatively high anisotropy with exceptionally smooth surfaces, the amount of hydrogen gas added preferably exceeds the volumetric measure of chlorinated gas in standard cubic centimeter per minute (sccm); at a radio of greater than 1:1. The present invention provides an improved dry etching process for InP-based semiconductor materials that yields deep, vertical etch profiles with improved surface smoothness (i.e., morpology) and high manufacturing etch rates.
L'invention concerne un processus de gravure qui comprend une gravure profonde, lisse (RMS inférieur à approximativement 5 mm) et dirigée verticalement de matériaux à base de InP par la technique de la gravure ionique réactive au plasma inductif (ICP RIE) utilisant un plasma chloré additionné d'hydrogène gazeux. On peut aussi utiliser des gaz inertes tels que l'azote, l'argon ou les deux. Pour arriver à une anisotropie relativement élevée avec des surfaces exceptionnellement lisses, il faut que la quantité ajoutée d'hydrogène gazeux excède de préférence la mesure volumétrique du gaz chloré mesuré en centimètres cubes standard par minute (sccm), avec un taux supérieur à 1:1. L'invention concerne aussi un processus amélioré de gravure à sec destiné aux matériaux semi-conducteurs à base InP qui permet d'obtenir des profils profonds à gravure verticale avec un meilleur lissé (c'est-à-dire une morphologie) de la surface ainsi que des vitesses de gravure plus élevées pendant le traitement.
Pierson Thomas E.
Youtsey Christopher T.
L3 Optics Inc.
Nanovation Technologies Inc.
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1442564