H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01) H01L 21/461 (2006.01) H01L 21/786 (2006.01) H01L 29/772 (2006.01)
Patent
CA 2501580
A SOI structure (10) and a method for its fabrication, in which a strained silicon layer (12) lies directly on an insulator layer (14). The method entails forming the silicon layer (12) on a strain-inducing layer (22) having a different lattice constant than silicon, to that the silicon layer (12) is strained as a result of the lattice mismatch with the strain-inducing layer (22). The resulting multilayer structure (18) is the bonded to a substrate (24) so that an insulating layer (14) is between the strained silicon layer (12) and the substrate (24), and so that the strained silicon layer (12) directly contacts the insulating layer (14). The strain-inducing layer (22) is then removed to yield a strained SOI structure (10) comprising the strained silicon layer (12) directly on the insulating layer (14), in which the strain in the silicon layer (12) is maintained by the SOI structure (10).
L'invention concerne une structure (SOI) (silicium sur isolant) (10) et son procédé de fabrication, structure dans laquelle une couche de silicium contrainte (12) est appliquée directement sur une couche isolante (14). Le procédé consiste à former la couche de silicium (12) sur une couche générant une contrainte (22) ayant une constante de réseau différente du silicium, de sorte que la couche de silicium (12) est soumise à une contrainte, en raison de la mauvaise concordance du réseau avec la couche générant la contrainte (22). La structure multicouche obtenue (18) est ensuite liée à un substrat (24) de telle façon qu'une couche isolante (14) se présente entre la couche de silicium contrainte (12) et le substrat (24), et que la couche de silicium contrainte (12) vienne directement en contact avec la couche isolante (14). La couche générant la contrainte (22) est ensuite retirée pour fournir une structure SOI contrainte (10) comprenant la couche de silicium contrainte (12) directement sur la couche isolante (14), dans laquelle la contrainte dans la couche de silicium (12) est maintenue par la structure SOI (10).
International Business Machines Corporation
Wang Peter
LandOfFree
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