Method of making a micromechanical silicon-on-glass tuning...

G - Physics – 01 – C

Patent

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G01C 19/56 (2006.01)

Patent

CA 2181993

A micromechanical tuning fork gyroscope (14) fabricated by a dissolved silicon wafer process whereby eletrostatic bonding forms a hermotic seal between an etched glass substrate (12), metal electrodes (202) deposited thereon, and a silicon comb-drive tuning fork gyroscope (14). The dissolved silicon wafer process involves single-sided processing of a silicon substrate (1001, including the steps of etching recesses (102), diffusing an etch resistant dopant (104) into the silicon substrate (1003, and releasing various components of the silicon gyroscope (14) by etching through the diffusion layer (104) in desired locations (106). The glass substrate (12) also undergoes single-sided processing, including the steps of etching recesses, depositing a multi-metal system in the recesses (200), and selectively etching portions of the multi-metal system (202). One substrate (100) is inverted over the other (12) and aligned before anodic bonding of the two substrates is performed.

Gyroscope (14) à diapason micromécanique, fabriqué par un procédé faisant appel à une tranche de silicium dissoute, selon lequel un soudage électrostatique forme un joint hermétique entre un substrat de verre gravé (12), des électrodes métalliques (202) déposées sur le substrat et un gyroscope à diapason de silicium (14) entraîné par électrodes en peigne. Le procédé faisant appel à une tranche de silicium dissoute est un procédé de traitement simple face d'un substrat de silicium (100), consistant à y graver des évidements (102), à diffuser un dopant (104) résistant à la gravure dans ledit substrat de silicium (100), et à libérer différents composants du gyroscope de silicium (14) par gravure de la couche de diffusion (104) au niveau d'emplacements requis (106). Le substrat de verre (12) subit également un traitement simple face, consistant à y graver des évidements, à déposer un système multimétallique dans les évidements (200), et à graver sélectivement des parties du système multimétallique (202). Un substrat (100) est inversé sur l'autre (12), et ils sont alignés préalablement au soudage anodique des deux substrats.

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