H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 41/22 (2006.01)
Patent
CA 2696348
A method of forming a piezoelectric device is disclosed. In one such method, a coating material is formed. The coating material has a piezoelectric precursor. The coating material is applied to a first electrode. The precursor is heated to a temperature that is above the Curie temperature of the precursor, but below the melting temperature of the precursor. While the precursor is above its Curie temperature, a voltage is applied across the precursor. While the voltage is applied across the precursor, the temperature of the precursor is reduced to below the Curie temperature.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif piézoélectrique. Dans un tel procédé, un matériau de revêtement est formé. Ce matériau de revêtement est appliqué à une première électrode. Le précurseur est chauffé à une température supérieure à la température de Curie du précurseur, mais inférieure à la température de fusion du précurseur. Lorsque le précurseur possède une température supérieure à la température de Curie, une tension est appliquée au précurseur. Lorsque la tension est appliquée au précurseur, la température du précurseur est réduite à une température inférieure à la température de Curie.
Kitchens Jack C.
Schneider John K.
Piasetzki Nenniger Kvas Llp
Ultra-Scan Corporation
LandOfFree
Method of making a piezoelectric device does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Method of making a piezoelectric device, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method of making a piezoelectric device will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1603027