H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/205 (2006.01)
Patent
CA 2200124
Heteroepitaxial growth of phosphorus-containing III/V semiconductor material (e.g., InGaAsP) on a non-planar surface (11) of a different phosphorus-containing III/V semiconductor material (e.g., InP) is facilitated by heating the non-planar surface in a substantially evacuated chamber to a mass-transport temperature, and exposing the surface to a flux of at least phosphorus form a solid phosphorus source. This mass-transport step is followed by in situ growth of the desired semiconductor material, with at least an initial portion of the growth being done at a first growth temperature that is not greater than the mass transport temperature. Growth typically is completed at a second growth temperature higher than the first growth temperature. A significant aspect of the method is provision of the required fluxes (e.g., phosphorus, arsenic, indium, gallium) from solid sources, resulting in hydrogen-free mass transport and growth, which can be carried out at lower temperatures than is customary in the prior art. An exemplary and preferred application of the method is in grating formation and overgrowth in InP-based DFB lasers.
La croissance hétéroépitaxiale d'une matière semiconductrice III-V contenant du phosphore (p. ex. InGaAsP) sur une surface non planaire (11) d'une matière semiconductrice III-V différente contenant du phosphore (p. ex. InP) est facilitée par chauffage de la surface non planaire dans une enceinte substantiellement sous vide jusqu'à une température de transfert de masse, et l'exposition de la surface à un flux contenant au moins du phosphore provenant d'une source de phosphore solide. L'étape de transfert de masse est suivie par une croissance in situ de la matière semiconductrice recherchée, au moins une partie initiale de la croissance étant effectuée à une première température de croissance qui n'est pas supérieure à la température de transfert de masse. Typiquement, la croissance est complétée à une seconde température de croissance supérieure à la première température de croissance. Un aspect important de la méthode est l'utilisation des flux nécessaires (p. ex. phosphore, arsenic, indium, gallium) générés à partir de sources solides, qui entraînent un transfert de masse et une croissance sans hydrogène, qui peuvent être réalisées à des températures plus faibles que celles que l'on retrouve habituellement dans la pratique jusqu'à nos jours. Une application de choix et qui sert d'exemple de la méthode concerne la formation de réseaux et l'accroissement secondaire dans les lasers à rétroaction répartie à base d'InP.
Baillargeon James N.
Cho Alfred Yi
Chu Sung-Nee George
Hwang Wen-Yen
Kirby Eades Gale Baker
Lucent Technologies Inc.
LandOfFree
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