C - Chemistry – Metallurgy – 01 – G
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
G
C01G 39/02 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01) H05B 33/14 (2006.01)
Patent
CA 2533110
The invention relates to high purity MoO2 powder by reduction of ammonium molybdate or molybdenum trioxide using hydrogen as the reducing agent in a rotary or boat furnace. Consolidation of the powder by press/sintering, hot pressing, and/or HIP is used to make discs, slabs, or plates, which are used as sputtering targets. The MoO2 disc, slab, or plate form is sputtered on a substrate using a suitable sputtering method or other physical means to provide a thin film having a desired film thickness. The thin films have properties such as electrical, optical, surface roughness, and uniformity comparable or superior to those of indium-tin oxide (ITO) and zinc-doped ITO in terms of transparency, conductivity, work function, uniformity, and surface roughness. The MoO2 and MoO2 containing thin films can be used in organic light-emitting diodes (OLED), liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), field emission display (FED), thin film solar cell, low resistivity ohmic contacts, and other electronic and semiconductor devices.
L'invention concerne une poudre de MoO¿2? résultant de la réduction de molybdate d'ammonium ou de trioxyde de molybdène. L'agent réducteur est hydrogène, et l'opération se déroule dans un four rotatif ou un four de frittage. La consolidation de la poudre par compression/frittage, compression à chaud, et/ou compression isostatique à chaud permet de réaliser des disques, des dalles ou des plaques, que l'on utilise comme cibles de pulvérisation. On pulvérise ainsi la forme de disque, dalle ou plaque de MoO¿2? sur un substrat en utilisant une technique de pulvérisation appropriée ou d'autres moyens physiques pour produire un film mince ayant l'épaisseur souhaitée. Les films minces ont des propriétés électriques, optiques, de rugosité de surface et d'uniformité comparables ou supérieures à celles de l'oxyde d'indium-étain (ITO) et de l'ITO dopé au zinc en termes de transparence, de conductivité, de fonction de travail, d'uniformité et de rugosité de surface. Les films minces en MoO¿2? et contenant du MoO¿2? peuvent être utilisés dans les produits suivants : diodes organiques électroluminescentes (OLED), afficheurs à cristaux liquides (LCD), écrans à plasma (PDP), écrans à émission de champ (FED), batteries solaires à film mince, contacts ohmiques à faible résistivité, et autres dispositifs électroniques et à semiconducteurs
Kumar Prabhat
Mchugh Lawrence F.
Meendering David
Nicholson Richard
Woetting Gerhard
H.c. Starck Inc.
Norton Rose Or S.e.n.c.r.l. S.r.l./llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2091395