H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/146 (2006.01) H01L 31/0232 (2006.01)
Patent
CA 2569775
A method of manufacturing a back-side (14) illuminated image sensor (1) is disclosed, comprising the steps of: starting with a wafer (2) having a first (3) and a second surface (4), providing light sensitive pixel regions (5) extending into the wafer (2) from the first surface (3), securing the wafer (2) onto a protective substrate (7) such that the first surface (3) faces the protective substrate, the wafer comprising a substrate of a first material (8) with an optical transparant layer (9) and a layer of semiconductor material (10), wherein the substrate (8) is selectively removed from the layer of semiconductor material by using the optical transparant layer (9) as stopping layer. For back-side illuminated image sensors, light has to transmit through the semiconductor layer and enter into the light sensitive pixel regions (5). In order to reduce absorption losses, it is very advantageous that the semiconductor layer (10) can be made relatively thin with a good uniformity. Because of the reduced thickness of the semiconductor layer, more light can enter into the light sensitive regions, resulting in an improved efficiency of the image sensor.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image (1) éclairé par le côté arrière (14). Ce procédé consiste d'abord à utiliser une plaquette (2) comportant une première surface (3) et une seconde surface (4), à former des zones de pixels photosensibles (5) s'étendant dans la plaquette (2) à partir de la première surface (3), et à fixer la plaquette (2) sur un substrat protecteur (7) de sorte que la première surface (3) soit tournée vers le substrat protecteur, ladite plaquette comprenant un substrat d'un premier matériau (8) possédant une couche transparente optique (9) et une couche de matériau semi-conducteur (10), ledit substrat (8) étant sélectivement enlevé de la couche de matériau semi-conducteur par utilisation de la couche transparente optique (9) comme couche d'arrêt. Pour les capteurs d'image éclairés par le côté arrière, la lumière doit traverser la couche de semi-conducteur et entrer dans les zones de pixels photosensibles (5). Pour réduire les pertes d'absorption, la couche de semi-conducteur (10) peut avantageusement être relativement fine et présenter une bonne uniformité. Du fait de l'épaisseur réduite de la couche de semi-conducteur, davantage de lumière peut entrer dans les zones photosensibles, ce qui confère une efficacité accrue à ce capteur d'image.
de Bruin Leendert
Groot Erik H.
Maas Joris
Reuvers Gerardus L. J.
Van Grunsven Eric C. E.
Koninklijke Philips Electronics N.v.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1502716