Method of manufacturing domain inverted crystal

G - Physics – 02 – F

Patent

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G02F 1/37 (2006.01)

Patent

CA 2519090

A first electrode is in partial contact with a region (2) to be domain- inverted on one side of a non-linear optical crystal substrate (1), and a second electrode is in contact with the other side of the substrate. Between the two electrodes a domain inversion voltage is applied. The first electrode is so formed that a contact region (3) of the substrate in contact with the first electrode meets specific conditions. By applying the domain inversion voltage, the region to be domain-inverted is domain inverted wholly or partly. The conditions are that each contact region (3) has a shape of a dot so that the contact regions (3) may exist independently in the regions (2) to be domain inverted and that each dot contact region has an area of 0.00785 µm2 to 7850 µm2 and a shape that can be included in a circle of 100 µm in diameter. In this way a high-quality domain inverted crystal is easily produced.

Une première électrode est en contact partiel avec une zone (2) devant présenter une inversion de domaines d'un côté d'un substrat de cristal optique non linéaire (1) et une deuxième électrode est en contact avec l'autre côté du substrat. Une tension d'inversion de domaines est appliquée entre ces deux électrodes. La première électrode est conçue de sorte qu'une zone de contact (3) du substrat en contact avec ladite première électrode réponde à des conditions spécifiques. L'application de cette tension d'inversion de domaines implique l'inversion totale ou partielle des domaines de ladite zone (2). Selon ces conditions spécifiques, chaque zone de contact (3) doit présenter la forme d'une tache afin que ces zones de contact (3) puissent exister de manière indépendante dans les zones (2) dont les domaines doivent être inversés et que chaque zone de contact présente une surface de 0,00785 µm?2¿ à 7850 µm?2¿ et une forme pouvant être comprise dans un cercle de 100 µm de diamètre. Ceci permet de fabriquer sans difficultés un cristal présentant une inversion de domaines de qualité élevée.

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