H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/167 (2006.01) C30B 29/04 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/425 (2006.01) H01L 21/477 (2006.01)
Patent
CA 2491242
A method of manufacturing n-type semiconductor diamond by the present invention is characterized in producing diamond incorporating Li and N by implanting Li ions into, so that 10 ppm thereof will be contained in, single-crystal diamond incorporating 10 ppm or more N, or else, in doping single-crystal diamond with Li and N ions, by implanting the ions so that ion-implantation depths at which the post-implantation Li and N concentrations each are 10 ppm or more will overlap, and thereafter annealing the diamond in a temperature range of from 800°C or more to less than 1800°C to electrically activate the Li and N and restore the diamond crystalline structure. In the present invention, n-type semiconductor diamond incorporates, from the surface of the crystal to the same depth, 10 ppm or more of each of Li and N, wherein its sheet resistance is 10 7 .OMEGA./~ or less.
La présente invention concerne un procédé de production d'un diamant semi-conducteur du type n qui se caractérise en ce qu'un monocristal de diamant contenant au moins 10 ppm de N est implanté avec des ions de manière à contenir au moins 10 ppm de Li, ou en ce qu'un monocristal de diamant est implanté avec des ions Li et N de sorte que les profondeurs d'implantation ionique où les concentrations de Li et de N sont supérieures ou égales à 10 ppm après l'implantation ionique, se chevauchent l'une l'autre pour produire un diamant contenant Li et N; puis on traite ensuite à la chaleur le diamant sur une plage de température au moins égale à 800 DEG C et inférieure à 1800 DEG C, ce qui active électriquement Li et N et restaure la structure cristalline du diamant. Le diamant semi-conducteur du type n contient, respectivement, au moins 10 ppm de Li et de N, à la même profondeur depuis la surface du cristal et présente une résistance de couche inférieure ou égale à 10<7 > OMEGA /c.
Imai Takahiro
Namba Akihiko
Nishibayashi Yoshiki
Sumiya Hitoshi
Yamamoto Yoshiyuki
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1727493