H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/18 (2006.01) H01S 5/026 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2434088
There is disclosed a method of manufacturing of optical devices, for example, semiconductor optoelectronic devices such as laser diodes, optical modulators, optical amplifiers, optical switches, and the like. There is further disclosed Optoelectronic Integrated Circuits (OEICs) and Photonic Integrated Circuits (PICs) including such devices. According to the present invention there is provided a method of manufacturing an optical device (40), a device body portion (15) from which the device (40) is to be made including a Quantum Well Intermixing (QWI) structure (30), the method including the step of plasma etching at least part of a surface of the device body portion (5) prior to depositing a dielectric layer (51) thereon so as to introduce structural defects at least into a portion (53) of the device body portion (5) adjacent the dielectric layer (51). The structural defects substantially comprise "point" defects.
La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs optiques, par exemple des dispositifs optoélectroniques semiconducteurs tels que des diodes laser, des modulateurs optiques, des amplificateurs optiques, des commutateurs optiques et d'autres dispositifs similaires. Cette invention concerne aussi des circuits intégrés optoélectroniques (OEIC) et des circuits intégrés photoniques (PIC) comprenant ces dispositifs. Cette invention concerne encore un procédé de fabrication d'un dispositif (40) optique, une partie (15) du corps de ce dispositif à partir de laquelle ce dispositif (40) est constitué comprenant une structure (30) à puits quantiques en réseaux (QWI). Ce procédé consiste en une attaque au plasma au moins sur une partie de la surface de cette partie (5) du corps du dispositif préalablement au dépôt d'une couche (51) diélectrique sur cette partie, de façon à introduire des défauts structurels au moins dans une partie (53) de cette partie (5) du corps du dispositif contiguë à la couche (51) diélectrique. Ces défauts structurels comprennent essentiellement des défauts <=ponctuels>=.
Hamilton Craig James
Kowalski Olek Peter
Marsh John Haig
Mcdougall Stewart Duncan
Borden Ladner Gervais Llp
The University Court Of The University Of Glasgow
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1550943