Method of manufacturing semiconductor device

Details Method of manufacturing semiconductor device Method of manufacturing semiconductor device

H - Electricity

01

L

H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 29/417 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)

Patent

CA 2672259

A semiconductor device manufacturing method comprising a first step of forming an ion implantation mask (103) in a partial region of the surface of a semiconductor (102), a second step of implanting ions of a first dopant into at least a part of the exposed region of the surface of the semiconductor (102) other than the region where the ion implantation mask (103) is formed and forming a first dopant implantation region (106), a third step of removing a part of the ion implantation mask (103) after the formation of the first dopant implantation region (106) to enlarge the exposed region of the surface of the semiconductor (102), and a fourth step of implanting ions of a second dopant into at least a part of the enlarged exposed region of the surface of the semiconductor (102) to form a second dopant implantation region (107).

L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur. Ledit procédé comporte une première étape consistant à former un masque (103) d'implantation d'ions dans une région partielle de la surface d'un semi-conducteur (102) ; une seconde étape consistant à implanter des ions d'un premier dopant dans au moins une partie de la région exposée de la surface du semi-conducteur (102) autre que la région où le masque (103) d'implantation d'ions est formé et a former une région (106) d'implantation de premier dopant ; une troisième étape consistant à retirer une partie du masque (103) d'implantation d'ions après la formation de la région (106) d'implantation de premier dopant pour agrandir la région exposée de la surface du semi-conducteur (102) ; et une quatrième étape consistant à implanter des ions d'un second dopant dans au moins une partie de la région exposée agrandie de la surface du semi-conducteur (102) pour former une région (107) d'implantation de second dopant.

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