H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
345/32
H01S 5/227 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2026289
According to this invention, a first cladding layer of a first conductivity type, an active layer, a second cladding layer of a second conductivity type, and a cap layer much more susceptible to side etching than the second cladding layer susceptible to side etching than the second cladding layer are sequentially grown on a (100) crystal plane of a semiconductor substrate of the first conductivity type, and a stripe-like mask extending in a <011> direction is formed on the grown substrate with respect to each layer of the stacked substrate. This etching is performed in a crystal orientation for forming a reverse triangular mesa. However, since the cap layer is made of a material susceptible to side etching, a rounded mesa is formed. Thereafter, when a burying layer is formed on the etched portion by a vapor phase epitaxy method, the burying layer can be made to have a flat surface depending on crystal orientations.
Selon la présente invention, sur un plan cristallographique (100) d'un substrat semiconducteur à conductivité d'un premier type, on fait croître successivement une première couche de métallisation à conductivité du premier type, une couche active, une seconde couche de métallisation à conductivité d'un second type et une couche d'encapsulation beaucoup plus réceptive à la gravure latérale que la seconde couche de métallisation. Puis on forme sur le substrat un masque en forme de ruban orienté dans la direction <011> par rapport à chacune des couches du substrat multi-couches. Cette gravure est réalisée selon une orientation du cristal pour former un mésa en triangle inversé. Toutefois, comme la couche d'encapsulation est en matériau sensible à la gravure latérale, on forme un mésa arrondi. Par la suite, lorsqu'une couche d'enfouissement est déposée par épitaxie en phase gazeuse sur la partie gravée, on peut donner à cette couche une surface plane selon les orientations du cristal.
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2047277