C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
23/183, 345/23
C01B 33/02 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01)
Patent
CA 1113686
PRECIS DE LA DIVULGATION L'invention concerne un procédé de fabrication de silicium polycristallin en couche mince. Le procédé de l'inven- tion consiste à réduire un composé de silicium à l'état gazeux par le zinc à l'état liquide en présence d'au moins un métal à l'état liquide choisi dans le groupe que constituent l'étain, le plomb, l'or, l'argent, l'antimoine et le bismuth, les conditions opératoires étant choisies telles que le composé du sino formé lors de la réaction soit à l'état gazeux. Le silicium obtenu par ce procédé trouve son application notamment à la conversion photovoltalque.
314857
Rhone Poulenc Industries
Robic Robic & Associes/associates
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-342010