C - Chemistry – Metallurgy – 09 – D
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
09
D
C09D 5/44 (2006.01) C25D 7/12 (2006.01) C25D 13/04 (2006.01) C25D 13/08 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01) H01L 23/52 (2006.01)
Patent
CA 2728498
The present invention relates essentially to a method of preparing an electrical insulating film on the surface of an electrically conducting or semiconducting substrate, such as a silicon substrate. According to the invention, this method comprises the following: a) said surface is brought into contact with a liquid solution comprising: a protic solvent, at least one diazonium salt, at least one in-chain polymerizable monomer soluble in said protic solvent, and at least one acid in an amount sufficient to stabilize said diazonium salt by adjusting the pH of said solution to a value below 7, preferably below 2.5; and b) said surface is polarized in pulse potentiostatic or galvanostatic mode for a time sufficient to form a film having a thickness of at least 60 nanometres, and preferably between 80 and 500 nanometres. Application: metallization of through-vias, especially for 3-D integrated circuits.
La présente invention concerne essentiellement un procédé de préparation d'un film isolant électrique à la surface d'un substrat conducteur ou semiconducteur de l'électricité, tel qu'un substrat de silicium. Selon l'invention, ce procédé comprend : a) la mise en contact de ladite surface avec une solution liquide comprenant : un solvant protique; au moins un sel de diazonium; au moins un monomère polymérisable en chaîne et soluble dans ledit solvant protique; au moins un acide en une quantité suffisante pour stabiliser ledit sel de diazonium par ajustement du pH de ladite solution à une valeur inférieure à 7, de préférence inférieure à 2,5; b) la polarisation de ladite surface selon un mode potentio- ou galvano-pulsé pendant une durée suffisante pour former un film présentant une épaisseur d'au moins 60 nanomètres, et de préférence comprise entre 80 et 500 nanomètres. Application : Métallisation de vias traversants, notamment de circuits intégrés 3D.
Gonzalez Jose
Mevellec Vincent
Suhr Dominique
Alchimer
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
LandOfFree
Method of preparing an electrical insulation film and... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Method of preparing an electrical insulation film and..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method of preparing an electrical insulation film and... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1359816