C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
117/86, 204/96.0
C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/28 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) H01B 12/06 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01)
Patent
CA 2037481
An oxide superconducting layer is formed on a base material of silver, whose single side is coated with MgO, or single-crystalline MgO for depositing a Bi2Sr2Ca2Cu3 phase in a crystallographically oriented state by sputtering, CVD or laser ablation, then metal lead or lead oxide is laid thereon by sputtering to obtain a two-layer structure, and the two-layer structure is heat treated in the atmospheric air. Thus, a bismuth oxide superconducting film, which is excellent in crystal orientation as well as denseness and thereby being increased in critical current density, is formed on the base material.
On forme une couche d'oxyde superconductrice sur un matériau de base d'argent, dont un seul côté est recouvert de MgO ou d'un monocristal de MgO, afin de déposer par pulvérisation, par DCPV ou par ablation par laser, une phase de Bi2Sr2Ca2Cu3 se trouvant dans un état cristallographiquement orienté; du plomb métallique ou de l'oxyde de plomb est ensuite déposé par pulvérisation sur cette couche, afin d'obtenir une structure à deux couches, qui est traitée thermiquement dans l'air ambiant. On forme ainsi sur le matériau de base, un film superconducteur d'oxyde de bismuth qui possède d'excellentes qualités d'orientation des cristaux, ainsi que de densité, et dont la densité de courant critique est ainsi augmentée.
Hayashi Noriki
Takano Satoshi
Bereskin & Parr
Kansai Electric Power Co. Inc. (the)
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1584510