H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/76 (2006.01) H01L 23/544 (2006.01)
Patent
CA 2493547
A method for preventing thermal stress and the shifting of alignment marks during semiconductor processing including providing a semiconductor wafer (10) having a first selected portion (12) for fabricating integrated circuitry and a second non-fabrication portion (14) including alignment marks (16), introducing dopant (56) into said first and second portions, when dopant (56) is required to be introduced in said first portion (12), thereby increasing radiant energy absorptivity and decreasing radiant energy transmissivity in both portions (12, 14) such that the thermal emissions detected at the portions result in no significant temperature variation between portions during heating. Therefore thermal stress and shifting of alignment marks (16) are prevented.
L'invention concerne un procédé de prévention de contrainte thermique et de décalage de marques d'alignement pendant un traitement de semi-conducteur. Ce procédé comprend les étapes consistant: à prendre une plaquette de semi-conducteur (10) qui présente une première partie (12) sélectionnée afin de produire un ensemble de circuits intégrés et une deuxième partie (14) non destinée à la production qui comprend des marques (16) d'alignement; et à introduire un dopant (56) dans lesdites première et deuxième parties, lorsque ledit dopant (56) doit être introduit dans ladite première partie (12), ce qui permet d'augmenter l'absorptivité d'énergie de rayonnement et de diminuer la transmissivité d'énergie de rayonnement dans les deux parties (12, 14) de façon que les émissions thermiques détectées au niveau desdites parties n'entraînent pas de variation de température significative entre celles-ci pendant le traitement thermique. Ceci permet de prévenir les contraintes thermiques et le décalage des marques (16) d'alignement.
Lojek Bohumil
Whiteman Michael D.
Atmel Corporation
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2083746