Method of producing a filter

Details Method of producing a filter Method of producing a filter

C - Chemistry, Metallurgy

25

F

C25F 3/12 (2006.01) B01D 67/00 (2006.01) B01D 71/02 (2006.01) B01J 19/00 (2006.01) H01L 21/3063 (2006.01) B01D 39/16 (2006.01)

Patent

CA 2369963

The invention relates to an electrochemical etching method for etching fine filter pores into an n- or p-doted silicon blank, the filter pores having a substantially constant pore diameter. Said blank is wired as an anode or cathode, dipped into an etching solution in which a counter-electrode is located to generate an etching current, and radiated with light, whereby minority carriers are produced in the blank. The generation rate of the minority carriers is controlled by choosing the radiation in such a manner that it decreases as the progression of the etching increases, that is with increasing pore depth.

L'invention concerne un procédé d'attaque électrochimique pour réaliser des pores de filtre fins dans une ébauche en silicium à dopage n ou p, lesdits pores présentant une section transversale approximativement constante. L'ébauche est connectée sous la forme d'une anode ou d'une cathode, puis plongée dans une solution d'attaque, dans laquelle est placée une contre-électrode servant à produire un courant d'attaque, et enfin soumise à l'action de la lumière, ce qui provoque la formation de porteurs minoritaires dans l'ébauche. Le taux de production des porteurs minoritaires est régulé par l'intermédiaire de l'exposition à la lumière, de sorte qu'il diminue d'autant plus que l'attaque progresse, c'est-à-dire d'autant plus que la profondeur des pores augmente.

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