Method of producing a group iii nitride crystal

Details Method of producing a group iii nitride crystal Method of producing a group iii nitride crystal

C - Chemistry, Metallurgy

30

B

C30B 29/38 (2006.01) C30B 25/10 (2006.01)

Patent

CA 2678488

This invention provides a process for producing a group III nitride crystal, which can eliminate the need to adopt an MOVPE process and can use an inexpensive starting material to reduce the production cost and, at the same time, can produce an aluminum-type group III nitride crystal layer having a smooth surface and good crystallinity through the adoption of only a HVPE process which can realize high-speed film formation. A group III nitride crystal is produced by an HVPE process comprising the step of bringing a heated single crystal substrate into contact with a starting gas containing a compound containing a halide of a group III element and a nitrogen atom for vapor growth of a group III nitride crystal layer on the single crystal substrate. In this case, an intermediate layer is formed by vapor growth of a group III nitride crystal on a single crystal substrate heated to a temperature of 1000°C or above and below 1200°C. Subsequently, the temperature of the intermediate layer on the substrate is brought to 1200°C or above, and the group III nitride crystal is further formed by vapor growth on the intermediate layer.

Cette invention porte sur un procédé de fabrication d'un cristal de nitrure d'élément du Groupe III, qui permet d'éliminer le besoin d'adopter un procédé MOVPE et peut utiliser une matière de départ bon marché pour réduire le coût de production et, en même temps, permet de produire une couche de cristal de nitrure d'élément du Groupe III du type aluminium ayant une surface lisse et une bonne cristallinité par l'adoption de seulement un procédé HVPE qui peut réaliser une formation de film à haute vitesse. Un cristal de nitrure d'élément du Groupe III est obtenu par un procédé HPVE comprenant l'étape consistant à amener un substrat monocristal chauffé en contact avec un gaz de départ contenant un composé contenant un halogénure d'élément de Groupe III et un atome d'azote pour une croissance en phase vapeur d'une couche de cristal de nitrure d'élément du Groupe III sur le substrat monocristal. Dans ce cas, une couche intermédiaire est formée par croissance en phase vapeur d'un cristal de nitrure d'un élément du Groupe III sur un substrat monocristal chauffé à une température de 1000°C ou plus et au-dessous de 1200°C. Par la suite, la température de la couche intermédiaire sur le substrat est amenée à 1200°C ou plus, et le cristal de nitrure de l'élément du groupe III est encore formé par croissance en phase vapeur sur la couche intermédiaire.

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